MOSFET 选型实战：耐压、导通电阻、栅极电荷与散热
实用的 MOSFET 选型清单，涵盖击穿电压、导通电阻、栅极电荷、阈值电压、封装散热与逻辑电平驱动。
优先确认的关键参数
先确定最大漏源电压 Vds 并留裕量（通常为母线电压的 1.5–2 倍），再评估影响导通损耗的 Rds(on)、连续漏极电流 Id 以及影响开关损耗的栅极电荷 Qg。
若由 3.3V/5V 单片机直接驱动，应选逻辑电平 MOSFET，其 Rds(on) 需在 Vgs=4.5V 或 2.5V 下标称，而不仅是 10V。
散热与开关
导通损耗按 I²R 估算，开关损耗结合 Qg 与开关频率评估，并核对封装热阻；结温可能接近上限时加散热片或铺铜。
半桥、电机驱动还需关注体二极管反向恢复，并按需要搭配 N/P 沟道互补或专用高边驱动。
常见问题
为什么低栅压下 MOSFET 很烫？
普通 MOSFET 在 3.3V 下可能未完全导通，Rds(on) 偏高；应选在实际驱动 Vgs 下标称的逻辑电平型号。
Vds 留多少裕量？
通常取母线最高电压的 1.5–2 倍，以吸收感性尖峰并提升可靠性。